釜山市与日本Oxide公司签署MOU 共建B2G生产设施并开展技术合作

Published 02 Jun.2023 08:56(KST)

Updated 07 Aug.2025 08:47(KST)

open/close

2日下午1点30分釜山市厅，市政府、日本B2G、日本OXIDE公司签署三方MOU

建设电力半导体生产设施·创造本地就业，至2028年投资2000亿韩元

日本氮化镓材料强势中小企业，将在下一代化合物电力半导体量产技术上展开合作

釜山市2日下午1时30分将在釜山市政府与位于庆尚北道庆州市的企业V2G（以下简称“V2G”）就其电力半导体生产设施建设，以及与日本OXIDE公司（以下简称“OXIDE”）的技术合作签署投资谅解备忘录（MOU）。

投资协议签署仪式上，经济副市长Lee Seonggwon、V2G代表Shin Junghun以及OXIDE代表Furukawa将出席并亲自签署。

自2010年以来，釜山为将作为电动车等核心部件的电力半导体培育为当地新增长产业，持续进行投资。2016年“电力半导体商业化项目”通过中央政府预可行性调查后，从2017年起在机张郡长安邑的东南圈放射医疗·科学产业园区推进“电力半导体产业集群建设项目”。

通过本次投资协议：▲V2G将在“东南圈放射医疗·科学产业园区”内新建电力半导体生产设施，为当地就业岗位创造作出贡献，尤其将努力优先录用釜山地区优秀人才。▲釜山市将为V2G成功扎根釜山以及投资项目顺利推进，积极提供所需的各项支持。

此外，▲OXIDE将为新建工厂内实现电力半导体量产，向V2G积极提供其所拥有的各项技术支持，并决定优先录用釜山地区的优秀科研人才。

V2G今后将在釜山机张郡东南圈放射医疗·科学产业园区内约1.5万平方米的用地上，于2025年前建设用于量产氮化镓（GaN）材料电力半导体的工厂，并计划到2028年投资2000亿韩元，在OXIDE技术支持下实现氮化镓（GaN）材料电力半导体量产，同时新招聘50余名员工。

半导体材料在初期由锗（Ge）逐步被在耐热性、电力效率等方面更优的硅（Si）取代。随着电动车、手机、人工智能等技术的发展，为弥补电力效率、信号处理速度等方面的局限，加入碳元素的碳化硅（SiC）材料以及由氮（N）与镓（Ga）结合而成的氮化镓（GaN）材料等下一代化合物半导体正受到关注。

碳化硅（SiC）半导体主要应用于需要在高温、高电压环境下运行的领域（如电动车、航空航天、工业电力等）。

氮化镓（GaN）半导体则被用于需要高速信号处理（开关）的应用领域（如手机、笔记本电脑、电动车等），与碳化硅（SiC）相比，其电力转换效率更高，可实现小型化、轻量化；若应用于电动车电池，可大幅缩短充电时间，这是一大优势。

V2G是上述氮化镓（GaN）材料电力半导体企业（2009年成立），以开发氮化镓（GaN）晶圆（晶圆片）及垂直型氮化镓（GaN）电力器件等为目标，与拥有世界顶级氮化镓（GaN）技术的日本企业积极开展合作，并踊跃参与政府科研开发（R＆D）项目，是国内氮化镓（GaN）材料领域的强势中小企业。

此外，OXIDE是一家位于日本山梨县的材料领域强势中小企业（2000年成立），通过单晶体与激光相关技术开发，将半导体材料和医疗领域等商业化作为企业目标。

日本 OXIDE 公司现状。

经济副市长Lee Seonggwon表示：“决定在釜山投资的电力半导体企业持续增加，我感到非常高兴。我相信，V2G与OXIDE此次投资也将为本市正在推进的半导体特色园区引进工作提供巨大助力。今后将不遗余力地提供一切行政支持，助力V2G、OXIDE与釜山共同成长。”

本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。