三星电子、SK海力士，会再延长一年向中国引进半导体设备吗
英媒《金融时报》报道
“美方表示有意延长监管豁免”
韩国业界内外期待升温
有外媒报道称，三星电子和SK海力士在涉及向中国进口半导体设备的限制措施方面，可能再获为期1年的追加豁免。半导体业界内外评价认为，豁免延期有望成为现实。
3日（当地时间），英国《金融时报》（Financial Times）援引多名消息人士的话报道称，美国政府已向三星电子和SK海力士表达了将把与向中国进口半导体设备相关的豁免措施再延长1年的意向。报道称，美国还通过向相关企业发送非正式信息的方式传达了这一内容。
《金融时报》分析称，美国此举是“为了在放缓中国获取尖端半导体的同时，不损害盟国的经济利益”。报道还解读称，这可能有助于韩国企业在技术层面继续保持对中国竞争对手的优势。
自去年10月起，美国为阻止在中国境内生产18纳米（nm，1nm=十亿分之一米）及以下的动态随机存取存储器（DRAM）、128层及以上的闪存（NAND），以及14nm及以下的逻辑半导体，一直在限制相关尖端设备的出口。但对于包括三星电子和SK海力士在内、在中国设有半导体工厂的全球企业，美国已给予为期1年的监管豁免。
半导体业界内外认为，追加豁免具有实现的可能性。由于美国不仅通过我方政府，还通过商务部与韩国国内企业沟通并听取意见，因此有分析认为，今后可能会出现积极的结果。
实际上，各企业一直在努力争取延长设备出口限制的豁免期。SK海力士副社长 Kim Uhyun 在上月举行的一季度电话财报会议上表示：“为了确保业务稳定运营，我们将努力使设备出口管制豁免尽可能获得最长延长。”
韩国政府方面表示，无法确认此次报道内容的真实性。但同时强调，正与美国持续进行讨论。产业通商资源部相关人士表示：“关于这一问题，我们一直在与美国进行紧密协商”，“将努力使问题得以圆满解决。”
三星电子在中国西安设有闪存（NAND Flash）工厂，在苏州设有封测（封装）工厂。SK海力士在无锡设有DRAM工厂，在重庆设有封测工厂。在大连还拥有从英特尔闪存事业部收购而来的NAND工厂。三星电子约40%的闪存产量、SK海力士约50%的DRAM产量在中国生产。
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