SK海力士副会长 Park Jungho：“正在考虑申请美国半导体补贴”
“将再次申请豁免对华半导体设备管制”
SK海力士副会长 Park Jungho 就申请美国《芯片与科学法案》补贴一事表示，将会慎重考虑。关于对华半导体设备出口限制，他表示，将努力争取今后能够延长宽限期。
Park 副会长29日出席在京畿道利川总部 SUPEX Center 举行的第75届股东大会后，会见记者时表示：“计划新建先进封装工厂”，“（关于补贴申请）会认真考虑。”这表明，尽管补贴申请条件苛刻，公司仍将仔细研究相关内容。
此前，SK海力士曾宣布，将在美国建设先进封装工厂和研究开发中心，并公布了150亿美元的投资计划。目前公司已预告，将在上半年内选定先进封装工厂的厂址。美国方面则表示，将通过《芯片与科学法案》向在当地投资的半导体企业发放补贴。
Park 副会长表示：“封装技术的重要性已经提升”，“客户在要求高带宽存储器（HBM），而美国有很多这样的客户，如果在这里建设先进封装工厂会更好。”
Park 副会长还表示，计划就10月到期的对华半导体设备出口限制宽限期申请延长。他解释称：“在龙仁集群建成之前，尽可能争取时间对我们有利”，“一年后还会再申请一次。”
此前，美国于去年10月开始限制向中国出口用于生产尖端存储器和逻辑芯片的设备。不过，对在中国设有半导体生产工厂的SK海力士、三星电子以及台湾台积电（TSMC）等企业，美国给予了一年的豁免期。
另一方面，SK海力士在半导体景气低迷、推进减产的同时表示，正在提高先进服务器用产品工厂的稼动率。对象产品包括预计今年将正式完成代际更替的双倍数据速率5（DDR5）DRAM产品，以及因ChatGPT话题性带动、需求急剧增长的HBM产品。
SK海力士社长 Kwak Nojeong 表示：“部分DDR5产品的需求较为紧张，因此我们正在提高部分特定产品的稼动率”，“HBM也是如此。”
关于资本支出（CAPEX），SK海力士方面表示，将在今后系统性地制定按产品分类的投放计划。公司在本次股东大会上提出，将通过“资本支出纪律（CAPEX discipline）”强化成本竞争力。
Park 副会长就此表示：“以NAND为例，资本支出有时会达到销售额的80%。也有部分公司将该比例控制在50%以上不得超出”，“我们打算在这方面建立起纪律性机制。”
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