第27届韩国工程院青年工程人奖得主
SK海力士DRAM开发副社长 Kim Hyoungsoo
“在具备通用性的同时，能够通过为特定客户进行最优化的定制来解决客户的需求和问题，这一点非常重要。”
SK海力士DRAM开发部门副总裁 Kim Hyeongsu 在第27届韩国工学翰林院大奖颁奖典礼上荣获“青年工程人奖”。Kim副总裁在23日刊登于SK海力士新闻室的采访中，就今后DRAM技术的发展方向及SK海力士的战略作出了上述回答。他表示：“技术难度不断提高，实现新技术所需投入的成本只能逐步上升。我们必须为客户解决‘痛点’。目前的DDR5、LPDDR5、HBM3、GDDR6等产品，都是根据使用用途，面向不同客户进行最优化开发的案例，这种细分化今后将被提出更多要求。”
包括SK海力士在内的存储半导体企业，长期以来一直维持着“少品种大批量生产”的范式。虽然在短期内很难彻底改变这一范式，但企业正根据客户不断变化的需求，迅速转变为能够敏捷进行定制化的体质。
Kim副总裁在韩国科学技术院完成博士课程后，于2005年以设计研究员身份加入SK海力士，一直主导DRAM产品开发。他多次摘得“全球首款技术开发”这一头衔，为韩国半导体产业发展作出的贡献得到认可，因此被选为第27届韩国工学翰林院青年工程人奖获奖者。
他具有代表性的成果是2018年全球首款开发成功的1ynm 16Gb DDR5 DRAM（应用第二代10纳米级别（1y）技术的全球首款DDR5 DRAM）。该产品相较上一代DDR4 DRAM，速度提升了1.8倍，功耗则降低了30%。2021年，他又先后开发出单颗芯片容量达到业内最大水平的1anm 24Gb DDR5 DRAM（应用第四代10纳米（1a）技术的DRAM）以及被称为全球最高性能DRAM的HBM系列产品（通过将多颗DRAM垂直连接，大幅提升数据处理速度的产品），并于2022年开发出大容量96GB CXL内存（为更高效地使用中央处理器、图形处理器、加速器、存储器等而打造的、基于PCIe的下一代接口协议）。
Kim副总裁表示：“我们率先在全球开发、并在近期于市场上被广泛采用的产品，是DDR5和HBM3。DDR5相较上一代DDR4而言，速度更快、功耗更低，由SK海力士在各存储厂商中最早开发完成，意味着我们抢占了市场主导权。”他接着介绍道：“随着人工智能的发展，HBM3已成为不可或缺的解决方案，这同样是我们汇聚最高技术实力，由SK海力士率先在全球开发出的产品。”
他指出：“包括人工智能在内，将世界连接为一体的各类服务飞速发展，数据中心的角色随之不断增强，部署在数据中心内的服务器市场也在持续增长。由于DRAM是在服务器中发挥核心作用的产品，其性能必须与服务器需求相匹配而快速提升。在这样的背景下，DDR5正是为满足市场在更低功耗下更快速处理更多信息这一需求而开发的。业内预计，今后DDR4将会快速被DDR5所取代。”
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