中国紧追美光…“存储芯片四强格局”成形
中国CXMT今年DRAM产能占全球约12%
明年月产有望达25万片
三星·SK策略生变
降低通用产品比重应对供应过剩
中国动态随机存取存储器（DRAM）龙头企业长鑫存储技术（CXMT）在扩大传统（通用）DRAM产量的同时，被认为已追赶到全球半导体企业第3位、美国美光的“咫尺之遥”。业内担忧“追击速度快于预期”，认为全球存储半导体版图将从三星电子、SK海力士、美光“三强格局”重组为“四强格局”的观点正愈发具有说服力。
据台湾市场调研机构集邦咨询（TrendForce）4日统计，CXMT在全球产能中的占比将从2022年的4%升至今年年底的12%。预计明年这一比例将突破15%。目前三星电子、SK海力士、美光的DRAM产能占比分别约为37%、25%、17%，而CXMT已经紧随第3位的美光之后，升至第4位。
CXMT的DRAM月均晶圆投片量预计将从今年的17.5万片增至明年的25万片，增幅达42.9%。今年三星电子、SK海力士、美光的月均投片量预计分别为60.1万片、42.1万片、31.1万片，业界普遍认为，这些企业的投片量较今年仅会增加约10%左右。这意味着CXMT的增速正在对存储“前三大”构成威胁。
CXMT扩大市场份额的核心在于DDR4等老一代半导体产品。该公司预计明年将把成熟制程半导体的产量提高50%以上。成熟制程半导体价格只能持续下滑。根据DramExchange数据，上个月用于存储卡、U盘的通用型NAND闪存产品（128GB 16Gx8 MLC）平均价格为3.07美元，较前一个月暴跌29.18%，跌至3美元出头。该产品自去年10月底（3.88美元）以来一直维持在4美元左右。用于个人电脑的通用型DRAM产品（DDR4 8GB）上个月平均价格为1.70美元，已连续两个月维持在同一水平。今年4月至7月期间该价格一直为2.10美元，8月跌至2.05美元后，疲软态势延续。
集邦咨询指出：“CXMT正在积极扩大DDR4的生产能力，政府则通过提供补贴，向更多的个人电脑制造商提供促销价格”，“由此预计第四季度合约价将下跌5%至10%。”
中国存储企业的迅速崛起预计也会推动三星电子和SK海力士调整战略。三星电子近日在谈及负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门业绩时，罕见地直接表示是“受到中国存储企业影响”。这是三星电子首次就中国存储企业的迅猛发展作出具体表述。
韩国本土企业正通过降低通用存储业务比重来应对供应过剩的担忧。三星电子存储事业部战略营销室室长、副社长Kim Jaejun在上月31日的电话会议上公开减产策略称：“部分通用产品将根据市场需求，对DRAM和NAND闪存的产量进行下调。”
SK海力士也在近期的电话会议上表示：“由于中国供应商加速进军传统制程领域，DRAM价格波动性加大，供需受到的负面影响正在增加”，“将缩减传统制程产品的生产规模，并加快推进‘向先进制程转换’。”与此相关，该公司已在今年第二季度将DDR4和低功耗（LP）DDR4的产量占比从40%降至第三季度的30%，并计划在第四季度进一步降至20%。
韩国半导体产业协会常务理事An Gihyeon表示：“中国产DRAM虽然出口困难，但在中国内需市场的销量非常大”，“（全球DRAM市场）将从三星、SK、美光三强格局，重组为加上CXMT在内的四强格局，可能对韩国半导体产业构成威胁。”
不过业内判断认为，在下一代DRAM市场，中国影响力的扩大将是有限的。由于难以获得先进制程所必需的极紫外（EUV）光刻设备等，中国在实现最尖端半导体方面将面临一定限制。
一位业界人士表示：“中国正在尝试通过设备等的本土化，自主生产人工智能半导体，但竞争力仍然不足”，“在DRAM市场中，DDR4的占比也在逐步下降，短期内技术差距仍将维持。”
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