传闻称“NVIDIA测试”未过关三星电子迅速回应（综合）

by Han Yeju

Published 24 May.2024 11:40(KST)

Updated 24 May.2024 15:22(KST)

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外媒报道后仅1小时30分即发布反驳声明
忧虑HBM形势恶化…“正紧密合作进行技术和性能测试”

针对外媒报道称三星电子未能通过向英伟达供应高带宽存储器（HBM）所需的质量测试（Qual Test），三星电子予以正面反驳，表示“正在与多家全球合作伙伴顺利推进为HBM供应所进行的测试”。业界评价称，三星电子就媒体报道发布正式立场文件的做法并不多见。

三星电子于24日发布正式立场文件称：“目前正与多家企业紧密合作，持续测试技术和性能”，“为彻底验证HBM的质量和性能，正在开展多种测试。”

图片由联合通讯社提供

这是对当天某家外媒报道的回应。该外媒援引多名匿名消息人士的话称，三星电子因HBM发热和功耗等问题，尚未通过向美国半导体企业英伟达供应HBM所需的测试。

该外媒还报道说，尽管去年3月英伟达首席执行官（CEO）Jensen Huang在英伟达年度开发者大会“GTC 2024”上曾到访三星电子展台，在HBM3E 12层产品上写下“JENSEN APPROVED”（Jensen认证），由此在市场上引发期待，但结果却并非如此。

三星电子在确认相关报道后迅速作出回应，似乎意在打消业界和投资者的忧虑。外媒报道发布1小时30分钟后，三星便公布了官方立场。据悉，三星内部一度就仅作反驳还是补充说明等应对方式存在意见分歧。但最终认为报道与事实不符，决定以正式立场予以回应。

业界分析认为，三星之所以相对迅速地出面回应，是出于担忧在HBM领域已相对处于劣势的局面可能进一步恶化。消息人士表示，目前尚不清楚被指出的问题能否轻易修正，但市场上出现了担忧声音，认为三星电子在HBM领域可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。受当日报道影响，三星电子股价在有价证券市场一度下跌2%左右。

HBM是一种将多颗动态随机存取存储器（DRAM）垂直堆叠，以提升数据处理性能的半导体产品。由于其与英伟达等企业生产的图形处理器（GPU）并排封装，用于提升运算速度，因此被视为人工智能（AI）时代的关键半导体。

自去年起，三星电子一直致力于通过英伟达的HBM3和HBM3E测试，并率先在全球开发出容量为36GB的HBM3E 12层（H）产品，当前已向英伟达提供样品。

三星电子公告称，去年按合并基准计算的初步营业利润为6.54万亿韩元，销售额为258.16万亿韩元。营业利润同比减少84.92%，销售额同比减少4.91%。照片摄于9日首尔瑞草区三星电子瑞草办公大楼。照片=记者 Kang Jinhyeong aymsdream@

问题在于，尽管三星电子在全球DRAM市场位居第一，但HBM市场的主导权却掌握在自10年前起便积极押注HBM的竞争对手SK海力士手中。

SK海力士一直几乎垄断性地向占据80%以上GPU市场份额的英伟达供应HBM3，并于今年3月率先在存储器企业中实现HBM3E（8层）产品量产，开始向英伟达供货。根据Meritz证券的统计，今年一季度HBM市场份额中，SK海力士约为59%，三星电子约为37%。此外，后发者美光也曾表示，将跳过HBM3，已于2月开始量产HBM3E 8层产品。

三星电子别无选择，只能全力以赴强化HBM竞争力。三星电子今年成立了HBM特别工作组（TF），近期在英伟达的紧急召集下，担任HBM TF负责人的DRAM开发室长、副社长Hwang Sangjun也曾赴美出差。

本月21日，负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门负责人也从社长Kyung Kyehyun突然更换为副会长Jun Younghyun。通过HBM3E质量测试并实现顺利供货，从而夺回HBM市场主导权，是Jun副会长的核心课题之一。

业界认为，由于英伟达有意降低对SK海力士的依赖，只要三星达到一定性能水准，就有望比预期更早开始供货。