FT专访公开
“生产时间缩短50%”
SK海力士表示，第五代高带宽存储器（HBM）HBM3E的良品率（成品中合格品比例）已接近80%。
据业界23日消息，当地时间21日，负责SK海力士良率的高管、副社长 Kwon Jaesoon 在接受《金融时报》（Financial Times）采访时表示：“我们将HBM3E芯片量产所需时间缩短了50%”，“就该芯片而言，已几乎达到80%的目标良品率。”
这是SK海力士首次对外公开HBM3E良率信息。由于半导体生产工艺良率属于核心机密，企业普遍不愿对外披露。业界此前一直推测，SK海力士HBM3E的良品率约为60%至70%。
Kwon 副社长表示：“今年正集中力量生产客户最需要的8层堆叠HBM3E”，“在人工智能（AI）时代要走在前列，提升良率变得愈发重要。”
SK海力士今年3月开始对HBM3E 8层产品进行大规模量产，目前正向英伟达（NVIDIA）等客户供货，并已签订到明年的供货合同。
由于HBM结构需要将多片动态随机存取存储器（DRAM）垂直堆叠，与普通DRAM相比，工艺难度更高。基于这一原因，HBM制造企业一直在良率稳定方面面临困难。尤其是HBM3E，其核心部件硅通孔（TSV）的良率仅在40%至60%水平，业界正致力于提升相关良率。
SK海力士在4月举行的一季度业绩电话会议上也曾就HBM3E良率表示，考虑到当前的推进情况，“在不久的将来，有望实现与HBM3相近水平的良品率，并且在成本方面也在推动快速稳定。”
本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。
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