SK海力士斥资1.3万亿韩元布局AI芯片封装…巩固HBM领先地位
公司支出仅为十分之一规模
“巩固高带宽内存市场领先地位”
彭博通讯社7日（当地时间）援引副社长 Lee Kanguk 的话报道称，SK海力士今年将在先进半导体封装工艺上投资超过10亿美元（约1.33万亿韩元）。此举旨在满足作为人工智能（AI）开发关键部件的高带宽存储器（HBM）的激增需求。
这一投资表明，HBM作为人工智能存储半导体的核心，是当前需求最大的部件。SK海力士的方针是通过技术创新降低半导体的功耗、提升性能，并牢牢巩固其在HBM市场的领军地位。
SK海力士今年尚未公开资本支出预算，但业界估算约为14万亿韩元。也就是说，公司整体支出的约十分之一将用于封装工艺改进，显示HBM是企业的最优先项目。
这位副社长表示：“半导体产业前50年关注的是芯片本身的设计和制造，而今后50年则将完全是后工序，也就是封装的时代。”他曾为开拓封装第三代HBM2E的新方法作出贡献，并在此基础上，在2019年末推动SK海力士成为英伟达的供应商，发挥了重要作用。
CLSA证券韩国分公司的分析师 Sanjiv Rana 称：“SK海力士管理层对半导体产业的走向拥有出色的洞察力，并做好了万全准备”，“当机会到来时，SK海力士牢牢抓住了它，而三星电子却在打瞌睡。”
在被选为向英伟达标准配置的AI加速器供应HBM的公司后，SK海力士的企业价值已升至119万亿韩元。自2023年初以来，其股价飙升近120%，跃居韩国市值第二位。此外，业界评价其技术实力已领先于三星电子和美国美光科技（Micron Technology）。
正猛烈追赶SK海力士的三星电子在上月26日表示，已开发出堆叠12层的动态随机存取存储器（DRAM）半导体以及业界容量最大的36GB第五代技术HBM3E。同一天，美国美光宣布，已开始为英伟达H200张量核心单元配套的24GB、8层堆叠HBM3E的量产，因此备受市场关注。
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