[初动视角]未来核心技术海外外流：1年刑 vs 33年刑
韩国向中国泄密判刑仅一年
最高法院量刑标准强化案也偏宽松
要学美国从重惩处才能保持领先优势
政府宣布将在京畿道南部地区推进建设世界最大规模的“半导体超级集群”，并公布了三星电子、SK海力士等民间企业将投资622万亿韩元的计划。政府将通过支持基础设施和道路建设等，力争实现650万亿韩元的生产诱发效应以及累计346万人的直接和间接就业创造。Yoon Suk Yeol总统上个月在“与国民同行的民生座谈会”上表示，一定要让半导体超级集群取得成功。Han Donghun国民力量党非常对策委员长近日也与产业界相关人士举行座谈，承诺将给予全方位支持。然而，尽管有这些动向，部分舆论仍表现冷淡，原因不仅在于技术外流威胁本身，还在于对其法律应对略显不足的忧虑。
Yoon总统当时表态要推动半导体超级集群之际，2014年由三星电子开发的20纳米DRAM半导体技术被泄露给中国企业的案例被曝光，引发争议。去年，三星电子一名前员工因涉嫌向中国泄露18纳米DRAM半导体工艺技术而被拘捕；SK海力士一家合作企业的副社长也因自2018年起将半导体核心技术和营业秘密泄露给中国半导体竞争企业，在一审中被判处有期徒刑1年。自2018年以来5年间，国家情报院查获的国内产业技术外流案件共计104件。其中半导体领域以30件居首，其次为显示器（23件）、电气·电子（11件）、汽车（9件）、信息通信（6件）、造船（6件）等。
随着全球尖端产业竞争日趋激烈，对产业技术外流的警惕性不断提高，法院正推进提高技术外流犯罪处罚水平的对策。大法院量刑委员会在上月召开的全体会议上，新增设了关于“国家核心技术等对外侵害”条款的单独量刑标准，建议最高可判处18年有期徒刑。同时，将过去被归类为与侵犯营业秘密行为类似类型、最高刑期仅为9年的产业技术海外外流犯罪的量刑标准予以完善，使其最高可判处15年有期徒刑。本次量刑基准案将在经过公听会等程序后，于今年3月最终确定。
但即便量刑标准有所强化，与美国、台湾等相比仍显得相当宽松。美国可根据损失金额判处最高33年9个月有期徒刑，并可科处最高500万美元（约合66.7亿韩元）的追缴罚金。台湾则可适用间谍罪，最高可判处死刑；而近期加强处罚的日本，则采取措施，允许对实施技术外流的法人科处最高10亿日元（约合90.2亿韩元）的罚款。发达国家之所以保持高强度处罚，是因为对手国家也在对技术外流进行严厉惩处。这些国家努力保护企业投入数万亿韩元所形成的未来核心技术，并借此维护国家安全和国家利益。我们同样必须对技术外流予以严厉惩罚，并致力于技术保护。这是维持“超越性差距”的最低安全装置。
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