泄露数万亿级半导体技术也能保释？三星·SK对“轻罚”深感头痛

by Han Yeju

Published 15 Nov.2023 10:00(KST)

“营业秘密”带走的三星前高管获释

技术泄露量刑极低…最高仅6年
过去4年实刑仅约10%
宽松处罚致海外泄露激增

美国按间谍罪级别惩处

因涉嫌将三星电子半导体工厂设计图泄露到中国而被拘押的前三星电子高管A某，近日获准取保候审出狱，由此引发对技术外泄的担忧不断加剧。近期技术外流犯罪手法愈发隐蔽精巧，各国纷纷通过加重处罚以进行前置性预防，但有舆论指出，我国对相关犯罪的量刑水准仍停留在“象征性处罚”水平。

水原地方法院刑事第14单独合议庭于本月10日批准了对因涉嫌违反《产业技术保护法》等罪名而被起诉的A某的取保候审申请，保释金为5000万韩元。

A某被控于2018年8月至2019年2月间，非法获取并不当使用三星电子的营业秘密——半导体工厂基础工艺数据（BED）、工艺布局图及工厂设计图纸等。上述技术属于价值至少约3000亿韩元、最高可达数万亿韩元的营业秘密。

A某曾在三星电子和海力士半导体（现SK海力士）等企业任职，并获颁银塔产业勋章。此后，他于2015年7月在新加坡设立了一家半导体制造企业，从中国成都市和台湾某电子产品生产企业引进大规模投资，并从韩国半导体行业延揽了200余名人才。这是迄今为止产业技术相关人才外流中规模最大的一次。

检方认为，他随后还企图建设一座几乎完全复制三星电子半导体工厂的生产设施。

半导体业内担忧，对技术外泄嫌疑人的轻罚可能会不断催生新的产业间谍。

尤其是在总统办公室召开技术外泄相关联合会议仅仅两天之后，法院便作出准予A某保释的决定，因而引发批评。此前，总统办公室于本月8日召集国家情报院、法务部等10个部门和机构召开产业技术保护联合会议，并宣布成立“泛政府技术外泄联合应对团”。

图片由韩联社提供

尽管技术外泄犯罪造成的损失极为严重，但据悉，与法律规定的法定刑相比，法院实际宣判的刑期明显偏低。

韩国国内关于技术外泄的量刑基准为：基本刑期为有期徒刑8个月至2年，即便在此基础上从重处罚，最高也仅为4年；向境外泄露技术的案件，基本刑期为有期徒刑1年至3年6个月，从重处罚的最高刑期也不过6年。这远低于《产业技术保护法》所规定的最高刑期——境内泄露10年、境外泄露15年，甚至不到其一半。

实际上，在2019年至2022年间已宣判的技术外泄案件中，实刑比例仅约10%；而去年宣判的营业秘密境外泄露犯罪，其平均刑期仅为14.9个月。

与海外各国的案例相比，韩国国内的处罚水准也明显偏低。美国通过所谓的“经济间谍法（Economic Espionage Act in USA）”，对将国家战略技术泄露到海外的犯罪分子按间谍罪水准从重处罚，以提高威慑和预防效果。台湾也为防止核心技术外泄而适用“经济间谍罪”，日本则通过制定相关法律，对相关行为提起巨额损害赔偿诉讼。