“TSMC都公布业绩了”……即便全球首家量产3纳米 三星仍保持沉默
TSMC 3纳米营收占比仅6%…
三星电子连营收占比都无法公开
有分析称从第二代3纳米产品起才具备可比性
3纳米（纳米·十亿分之一米）6%，5纳米37%，7纳米16%。
全球第一大晶圆代工（半导体委托生产）企业TSMC今年三季度7纳米及以下先进制程的销售占比高达59%。不仅较上一季度今年二季度提高了6个百分点，相比一年前即去年三季度的54%也上升了5个百分点。半导体芯片的性能通常用表示微细电路线宽的纳米来体现，一般将7纳米及以下归类为先进制程。三星电子和TSMC目前已经从7纳米、5纳米进一步进入3纳米制程的半导体量产阶段。
TSMC今年首次公开了3纳米制程的销售占比。其整体晶圆销售额中，有6%来自去年底开始量产的3纳米制程。考虑到公司整体销售额为5467亿3000万新台币（约合2.28万亿韩元），意味着约1.36万亿韩元来自3纳米制程。
比TSMC早6个月、全球最早启动3纳米第一代制程量产的三星电子，在31日发布三季度最终业绩时，很可能不会公开3纳米制程的销售占比。三星电子在整体业绩中仅披露半导体部门（DS）的销售额和营业利润，并不单独列示非存储领域的晶圆代工业绩。与TSMC不同，三星也不公布按先进制程划分的销售占比，或按高性能计算、智能手机、汽车等平台划分的销售占比。
半导体业界认为，尽管TSMC的3纳米制程销售占比低于预期，但三星电子要在3纳米制程上取得比TSMC更多的销售额几乎不可能。也就是说，TSMC之所以率先在全球公开3纳米销售占比，可以解读为其对抢占市场先机颇具信心。
三星电子在去年6月实现了全球首次3纳米半导体量产，而且率先采用了将用于TSMC计划于2025年量产的2纳米制程上的环绕栅极（GAA）技术。GAA是一种将晶体管栅极（电流进出的“门”）与沟道（电流流动的路径）接触面增加到4个面的结构，相比传统鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，电源效率更高，可解决电流泄漏和发热等问题。
尽管如此，半导体“大客户”们在选择能生产3纳米芯片的代工厂时，还是优先选择了TSMC而非三星电子。苹果在新款iPhone 15系列中，将高端机型iPhone 15 Pro搭载了由TSMC采用3纳米制程生产的A17 Pro芯片。由于苹果与三星电子在智能手机领域存在竞争关系，要把用于最新智能手机的核心半导体生产订单交给三星电子，并非易事。
为了在晶圆代工业务上追赶拥有悠久经验与信赖度的TSMC，三星电子必须在3纳米及以下制程中凭借GAA技术实力获得认可，稳定拿下全球大型客户。市场调研机构TrendForce统计的今年上半年数据显示，三星电子和TSMC在晶圆代工市场的份额分别为11.7%和56.4%，相差44.7个百分点。与去年底三星电子15.8%、TSMC 58.5%的记录相比，市占率差距进一步拉大。
不过，也有观点认为，三星电子不会过度在意TSMC 3纳米销售占比6%这一数字。理由是，三星比TSMC更早导入GAA技术并着手稳定良率，一旦晶圆代工需求回升，这一差距完全有可能被逆转。业界普遍认为，三星电子基于GAA的3纳米半导体良率已超过60%。相反，由于TSMC比三星电子晚3年导入GAA技术，在量产初期可能会经历良率偏低的试错期。对三星电子而言，与在客户获取上不尽如人意的3纳米第一代制程不同，从明年开始量产的3纳米第二代起，有望在市场先占方面相较TSMC的3纳米半导体更为突出，迎来新的机遇。
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