在龙头股半导体表现强劲的带动下，KOSPI时隔约10个月盘中重返2860点关口。三星电子近期已连续7个交易日走高，盘中重回“6万电子”区间。

9日上午9时11分，在韩国交易所，三星电子较前一交易日上涨1000韩元（1.69%），报6万100韩元。三星电子盘中重返6万韩元关口，是自3月28日以来首次。三星电子本月以来累计上涨5.16%。

SK海力士也已连续4个交易日大幅上涨，盘中重返23万韩元区间。SK海力士股价突破23万韩元，是自去年7月以来首次。SK海力士当日涨幅也超过3%。本月以来累计上涨9.78%。

受外资净买入推动，韩国综合股价指数盘中突破2860点。9日开盘上涨的韩国综合股价指数盘中突破2860点后，截至当天上午9时41分，报2842.87点，较前一交易日上涨30.82点（涨幅1.10%）。同一时刻，科斯达克指数上涨4.06点（涨幅0.54%），报760.29点。当天，在首尔中区韩亚银行交易室的电子屏上显示着股价和汇率。记者 Jo Yongjun

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外资买入力度被认为是推动半导体股走强的主因。进入本月以来，外资净买入SK海力士6918亿韩元，买入力度居首，其次是净买入三星电子4531亿韩元。外资此前在上月大举抛售三星电子，净卖出规模达1.2778万亿韩元，4月则达2.7762万亿韩元，而本月以来态度出现转变。

市场解读为对新政府政策的期待正在反映到股价中。总统Lee Jaemyung此前在4月28日当选共同民主党总统候选人后，将支持半导体产业作为第一号竞选承诺提出。当时他表示，“要打造世界第一的半导体强国”，并称将迅速制定包含向半导体企业提供补贴和税制优惠等内容的《半导体特别法》。

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也有观点认为，有必要关注三星电子技术竞争力的恢复。Kiwoom证券研究员 Park Yuak表示：“三星电子此前进展不顺的一代10纳米级（1cnm）DRAM产品良率已开始改善，面向NVIDIA和AMD的高带宽存储（HBM）3e 12层堆叠产品量产测试目前也在无重大问题的情况下推进。虽然现在下结论还为时尚早，但与此前业绩令人失望时相比，确实展现出截然不同的面貌。”他还表示：“尽管预计下半年半导体景气将因库存调整、消费需求放缓以及人工智能（AI）资本支出（CAPEX）调整等因素而面临困难，但三星电子有望凭借技术竞争力的恢复，在股价上呈现出差异化表现。”

下半年DRAM景气放缓预计将仅为短期现象。DB证券研究员 Seo Seungyeon表示：“近期DRAM价格在因关税忧虑引发的提前备货、DDR4减产带来的抢先采购，以及HBM采购需求叠加的背景下出现反弹，受关税以及DDR4供应短缺忧虑影响，DRAM价格的涨势预计将持续至三季度。”他同时分析称：“从四季度到明年一季度，由于库存累积带来的高基数效应以及季节性淡季，存储半导体景气预计将短期放缓、价格有所回落，但随着明年二季度旺季重启，行业放缓料将仅为短期现象。”

关于NAND价格反弹将持续的预期也在升温。KB证券研究员 Kim Dongwon表示：“二季度NAND价格在美国关税导致的提前采购需求、中国政府补贴以及厂商减产等多重因素作用下出现反弹”，“三季度随着NVIDIA Blackwell新产品正式出货，以及人工智能（AI）服务器投资扩大拉动企业级固态硬盘（eSSD）需求，三季度SSD价格预计还将进一步上涨5%至10%。”他接着指出：“下半年随着供应商减产和工艺转换带来的供应缩减效应叠加AI需求持续增长，eSSD价格有望继续反弹，预计将对三星电子和SK海力士的业绩产生积极影响。目前三星电子和SK海力士12个月远期市净率（PBR）分别为0.9倍和1.32倍，股价下行弹性已受到抑制，未来有必要将应对策略重点放在把握下半年上涨空间上。”

当日KOSPI收涨1.55%，报2855.77点，KOSDAQ收涨1.06%，报764.21点。

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