SK海力士副社长 Lee Donghun：“全球最高层4D NAND，将成业界新里程碑”
新闻室专访
SK海力士最年轻的高管——副社长 Lee Donghun 表示，对于SK海力士正在开发的全球最高层 321层 4D NAND，他“有信心这将成为业界新的里程碑”。
Lee 副社长14日在接受SK海力士新闻室采访时表示：“我们把尽快完成开发、供应产品并将风险降到最低，视为短期目标。”
出生于1983年的 Lee 副社长在去年年底进行的2024年高管人事中被任命为历代最年轻的新任高管，并被选拔为今年新设组织“N-S委员会（Committee）”的高管。N-S委员会作为NAND与解决方案业务的控制塔，为强化业务竞争力而新组建。
Lee 副社长于2006年被选为SK海力士奖学金生，在完成硕博课程后于2011年入职。他在128层和176层NAND开发过程中担任技术战略组组长，从238层开发开始负责PnR（性能与可靠性），在4D NAND开发的全流程中发挥了核心作用。
Lee 副社长表示，从长期视角看，必须延续此前从未尝试过的挑战。他称：“迄今为止，NAND开发的核心是将性价比最大化。过去从2D、3D NAND到4D NAND的出现也是出于这一原因。”并强调：“目前我们身处变革的中心，同样需要让NAND在多个方向上实现创新。”
他还表示，应当聚焦于因人工智能（AI）应用领域扩大而带来的数据激增。Lee 副社长指出：“仅以汽车电子领域为例，为实现自动驾驶所需的道路、通行量等数据正在爆发式增长。根据生成数据的设备或环境不同，对NAND提出的性能和条件要求也会有巨大差异，我们将密切关注环境变化，走在创新前列，以便持续保持技术领导力。”
Lee 副社长预测，继动态随机存取存储器（DRAM）之后，NAND也将在今年重回上升周期。他表示：“今年存储半导体市场正乘上上升气流，尤其是今年有望推出下一代NAND产品，我们将争取在这一变革期取得更好的成果。”
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。
