반도체·전지·디스플레이 '초격차' 지킨다…5년간 160조 투자

정부, 6일 오전 비상경제회의에서 R&D 전략 발표

우리나라가 앞으로 5년간 총 160조원의 연구개발(R&D) 자금을 투자해 반도체ㆍ디스플레이ㆍ차세대 전지 등 3대 분야에서 초격차 기술을 확보한다.

과학기술정보통신부는 6일 오전 비상경제장관회의에서 이같은 내용이 담긴 '3대 주력기술 초격차 R&D 전략'을 발표했다. 최근 세계적으로 기술 패권 경쟁과 보호주의가 심화되면서 우리나라도 12대 국가전략기술을 선정ㆍ지원하는 등 대응에 나서고 있다. 특히 정부는 지난해부터 반도체ㆍ디스플레이ㆍ차세대 전지 등 3대 주력기술 분야에서 산ㆍ학ㆍ연 전문가로 구성된 TF팀을 운영해 초격차 R&D 전략을 준비해왔다.

정부는 우선 민간과 함께 3대 주력기술 분야 초격차 기술 확보ㆍ신시장 창출을 위해 올해부터 2027년까지 5년간 160조원의 민ㆍ관 R&D 자금을 투자한다. 세부적으로 반도체는 소자ㆍ설계ㆍ공정 등 3개 분야 총 45개, 디스플레이는 초실감, 차세대 프리폼(free-form), 융ㆍ복합 기술 확보 등을 위해 총 28개, 차세대 전지는 이차전지ㆍ수소연료전지ㆍ동위원소전지 분야에 총 27개 기술을 선정해 중점 지원한다.

이와 함께 석ㆍ박사급 고급 인력과 전문 인력 등을 양성해 민간에 적기에 진출하도록 지원한다. 3대 주력기술 분야별로 대학 연구 거점 구축 사업 등을 신설ㆍ확대하고, 계약정원제, 계약학과, 전공트랙 신설 등을 통해 실무에 바로 투입할 수 있는 전문 인력 양성도 적극 지원한다.

3대 주력기술 분야 R&D 지원 부처인 과기정통부ㆍ산업통상자원부 등과 산ㆍ학ㆍ연 전문가ㆍ단체로 구성된 '민ㆍ관 연구협의체'를 올해 중 구성해 R&D사업 기획부터 연구성과 공유, 활용까지 전 단계를 빈틈없이 연계해 추진할 계획이다.

연구자 중심의 인프라 조성과 국제 협력 활성화에도 나선다. 반도체 관련 새로운 물질과 구조 기반 시제품을 제작할 수 있는 연구자 중심의 특화 오픈팹(Open Fab) 구축을 추진한다. 디스플레이ㆍ차세대 전지 맞춤형 연구 인프라도 조성하고, 나노종합기술원(Si CMOS공정)과 한국나노기술원(화합물 공정) 등 기존 팹간 역할 분담을 명확화하고 연계를 강화한다. 핵심 기술 난제를 미국과 유럽연합(EU) 등과의 국제협력 연구를 통해 공동 해결하기 위해 연구자 포럼 개최, 공동 R&D 사업 등을 지속적으로 추진해 국제협력을 강화한다.

이종호 과기정통부 장관은 "반도체와 디스플레이, 차세대전지 분야는 그간 뛰어난 민간 역량을 바탕으로 우리 경제를 든든하게 뒷받침해온 버팀목 기술"이라며 "앞으로도 승자독식 구조의 3대 주력기술 분야에서 세계 1위 수준의 초격차 기술 확보를 위해 민ㆍ관 협업으로 R&D 투자를 강화해 나갈 것"이라고 말했다.

김봉수 기자 bskim@asiae.co.kr