광전자, 미래창조과학부와 기술제휴 계약 체결

[아시아경제 임철영 기자] 광전자 가 29일 미래창조과학부, 한국전자통신연구원과 6인치 FAB을 기반으로 한 에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC다이오드 개발과 관련한 기술제휴 계약을 체결했다고 공시했다. 개발기간은 내년 5월31일까지다.

임철영 기자 cylim@asiae.co.kr