AMAT斥资7万亿韩元建半导体研发中心…三星电子成创始成员

美国硅谷设立半导体联合研发中心
三星电子首次以出资成员参与

三星电子将作为创始成员参与在美国硅谷建设中的应用材料公司 Applied Materials（AMAT）的半导体联合研究开发（R&D）中心。

Applied Materials Korea代表 Park Gwangseon 12日在首尔江南朝鲜Palace举行的记者座谈会上表示：“三星首次以出资成员身份参与美国硅谷EPIC Center”，并称“将加入这一新的生态系统，加速推进技术开发合作”。

“EPIC Center”是一个总规模达50亿美元（约7万亿韩元）、目前正在建设中的先进半导体工艺技术及制造设备联合研发设施，计划于今年开馆。这是美国境内先进半导体设备研发领域迄今为止最大规模的投资。

Applied Materials 11日（当地时间）通过公司投资者关系（IR）官网表示：“EPIC Center的联合研发项目以领先当前世代多个技术节点的芯片所需的新材料及工艺技术为目标”，“将在先进逻辑和存储芯片全领域内，创新实现下一代器件所需的原子级先进图形化、刻蚀和沉积工艺”。

三星电子设备解决方案（Device Solutions，DS）部门负责人 Jeon Younghyun 称：“三星与Applied Materials为推动领先的半导体设备技术发展，长期以来持续构建合作伙伴关系”，“期待在新的EPIC Center进一步深化双方的技术合作”。

Applied Materials也将在韩国设立研发中心。公司计划以目前正在京畿道乌山市建设中的“Applied Materials Korea Collaboration Center”为基地，加强与工程师、学界、合作伙伴等生态系统各方的协作，培养本地人才。

Applied Materials Korea当天在座谈会上还发布了可提升2纳米及以下工艺最尖端逻辑芯片性能的新型晶体管及布线创新技术。其构想是从原子尺度改进作为最基本电子元件的晶体管，从而大幅强化人工智能（AI）算力。

首先，Applied Materials全新的自由基处理系统“Producer Viva”能够在原子尺度将作为半导体电流通道的纳米片表面打磨得极为光滑，从而使电子流动更加顺畅。公司最新设计的刻蚀设备机型“Sym3 Z Magnum”可以垂直挖掘极深且极窄的沟槽（trench），帮助芯片在无缺陷的情况下高速运行。最后，“Centris Spectra”是一款将名为钼（Molybdenum）的新材料以原子层厚度极薄且均匀地沉积上的设备，相较此前使用的钨，在降低连接部位电阻和提升能效方面进行了重点优化。

Applied Materials半导体产品集团（Semiconductor Products Group，SPG）总裁 Prabu Raja 强调：“AI的快速发展正将计算性能推向极限，而计算创新始于晶体管”，“顺应埃（Ångström）时代的到来，此次发布的系统将在晶体管及布线关键领域扩展Applied Materials长期引领的主要创新，同时帮助客户加快技术路线图，以匹配AI发展的速度”。