by Paek Jongmin
Published 10 Feb.2026 10:45(KST)
被称为“HBM(高带宽存储器)之父”的 KAIST电气与电子工程系教授 Kim Jeongho 表示,在 HBF(高带宽闪存)研究中,将在与企业协作的同时,重点推进专利布局。
Kim 教授于10日线上举办了“HBF 技术:工作负载分析与路线图说明会”,向国内外产学研研究者公开相关研究内容。对此,Kim 教授在接受《亚洲经济》电话采访时表示:“与通过企业研究课题主导开发的 HBM 不同,在作为下一代人工智能存储器的 HBF 领域,将通过与企业的积极协作,正式推进兼顾专利获取的研究战略。”其意在通过专利布局,助力韩国半导体产业在下一代人工智能存储器竞争中延续技术主导权。
HBF 不同于将易失性存储器 D-RAM 垂直堆叠以最大化带宽的 HBM,而是将非易失性 NAND 闪存垂直堆叠,同时追求大容量与高带宽的下一代人工智能存储器。作为应对超大规模人工智能模型训练与推理过程中急剧攀升的数据处理需求的替代方案,正受到关注。
说明会上,基于迄今为止积累的 HBF 相关研究,公开了面向下一代 Agentic 人工智能的架构与结构、性能、工作负载特性和开发路线图等内容。会上还介绍了分析人工智能半导体运算特性后,如何在实际系统中应用 HBF,以及更进一步,如何利用人工智能对包括 HBM 在内的 HBF、固态硬盘等整个存储系统进行统筹设计与优化的方法论。
本次说明会并非面向特定企业或内部相关人士的封闭发布,而是规划为全球研究者可自由访问的开放式技术说明会。Kim 教授计划以此为契机,超越以实验室为中心的技术展示,积极探索与企业推进联合项目,并将研究成果转化为专利的路径。
由 Kim 教授领衔的 KAIST TeraLab 在过去20余年间深度参与了 HBM 结构与设计及其商业化进程。尤其是基于与企业研究课题相结合的设计经验,被评价为对 TSV(硅通孔)、中介层、信号与电源完整性等核心技术的积累作出了贡献。
实验室相关人士表示:“这将成为一个及早共享研究成果,并共同探讨产学研合作与技术商业化可能性的交流平台。”说明会视频将在活动结束后通过 KAIST TeraLab 官网在 YouTube 上公开。