[芯片Talk]直击AI半导体战争最前线…三星P5打破存储与代工边界的“HBM兵工库”

通过引入“三层晶圆厂”实现与既有工厂差异化
打造HBM4与尖端晶圆代工的复合生产基地
构建连接平泽–龙仁–泰勒的全球供应枢纽

刺破黑暗，数十台高达100米的起重机显露出雄姿。4日清晨6时，在京畿道平泽市高德洞三星电子平泽园区5号工厂（P5）建设现场，尽管寒气逼人，现场却因抢占下一代半导体工艺的施工热度而炽热非常。虽然天色尚未放亮，但现场数百盏探照灯将巨大的混凝土框架照得如同白昼。其间一字排开的履带式起重机同时启动，在巨型钢结构之间来回穿梭。

从一大早开始，施工现场入口便被聚集而来的工人挤得水泄不通。身着厚重防寒服、头戴安全帽的工人们不断迈步走向工地内部。预计单日投入人力约为1.5万至2万人，相当于一座小城市的全部人口每天清晨在此集结，为半导体“超越性差距”的物理基础添砖加瓦。远处传来机械运转声与下达作业指示的哨声。现场处处渗透着三星电子一直强调的，在半导体技术差距上的“速度战”意识，以及一旦放松警惕、容许对手追赶，竞争力就可能动摇的“超越性差距”战略危机感。

预计到2028年完工时，平泽园区常驻人员将超过10万人。这不仅是简单的工厂扩建，更被解读为将改变平泽一带整体产业结构的大规模生产生态扩张。就在几个月前，这里还因施工中断传闻和设计变更争议而不确定性陡增。然而目前，随着大规模设备进场与工艺构建全面展开，P5正迅速确立为下一代半导体竞争的核心据点。

业内估算，P5建设将投入约60万亿韩元以上，按单一生产线计算，为史上最大规模。支撑这项创纪录巨型工程的背景，是P5首次导入的“三层Fab”结构。现有P1至P4工厂采用的是将执行晶圆工艺的洁净室布置在1至2层的“双层Fab”结构。P5则更进一步，将洁净室垂直堆叠为3层，从而在单位面积内最大化生产效率。并计划按层分别独立配置高带宽内存（HBM）、DRAM以及晶圆代工（半导体委托生产）等不同工艺，以打造一座可根据市场形势灵活应对的复合型生产基地。

活动空间越大，“三层Fab”所需的技术水平就越是远非单纯加高建筑所能相比。尤其是半导体对微小震动极为敏感，稍有不慎就会导致不良品产生，因此关键在于彻底抑制分布在3个楼层、数千台设备的震动。此外，还必须对负责在1层至3层之间垂直、水平搬运晶圆的无人输送机器人（OHT）的物流动线进行最优化。承担施工的三星物产（삼성물산）采用了将半导体生产必需的气体管道、电力线路等公用设施模块单独预制的模块化施工工法，以降低现场作业比重，将焊接与组装误差降至最低，并大幅缩短工期。

按构想顺利完工后，P5每层将配置2间洁净室，总计引入6间洁净室，其生产能力将比拥有4间洁净室的P4提升50%。虽然P5的具体生产品目尚未最终敲定，但极有可能作为一座“混合Fab”运营，在同一厂房内并行配置生产下一代HBM4（第6代）及以上存储器，以及2纳米（1纳米＝10亿分之1米）及以下的超微细晶圆代工生产线。

去年11月，让停摆的P5塔式起重机重新转动的，是半导体超级景气周期的来临。随着人工智能数据中心的扩张，存储器价格扶摇直上，迎来了“水到渠成、必须乘势划桨”的时机。与前一年相比，价格翻倍以上的通用DRAM，也正在为今年这片最大“战场”——HBM4市场的参战企业，赋予价格谈判筹码，这同样是一大利好。在与SK海力士（SK하이닉스）角逐HBM3E（第5代）过程中饮恨的三星电子而言，HBM4是扭转战局的绝佳机会。

Daishin证券（대신증권）研究员Ryu Hyungkeun（류형근）表示：“考虑到三星电子在HBM4运行速度方面获得客户的积极评价等因素，有望摆脱此前的低迷，实现再起。”他预计，今年HBM销售额将同比增长183%，达到23.7万亿韩元。三星电子在上月底举行的2025年第四季度业绩发布电话会议上表示：“应主要客户的要求，包括最高规格的11.7Gbps产品在内的HBM4量产出货，计划自2月起正式启动”，“至于HBM4E（第7代），将于今年年中先以标准产品形式向客户提供样品。”

三星电子去年第四季度成为首家单季营业利润突破20万亿韩元的韩国企业。销售额也以93.8374万亿韩元刷新了季度历史新高。全年销售额则以333.6059万亿韩元创下新纪录。前一日，其股价盘中突破16.9万韩元，在韩国企业中率先登上市值1000万亿韩元的高地。

由此获得的巨额资金与现金创造能力，正成为三星构筑“半导体帝国”的养分。三星电子此前已公开表示，今后5年将在包括研究开发在内的韩国国内投资中总计投入450万亿韩元。以正向“HBM4前哨基地”转型的平泽园区为首，在美国得克萨斯州，负责生产2纳米、3纳米工艺基础的人工智能与高性能计算（HPC）芯片的泰勒工厂，已进入出征前的最后准备阶段。这是为了争夺特斯拉（Tesla）、英伟达（Nvidia）等美国本土大型客户订单的最前线。

在由台积电（TSMC）牢牢掌控的系统半导体市场，三星也将发起版图扩张。三星电子计划在未来20年内斥资约360万亿韩元打造的龙仁半导体国家产业园区，将引进包括6座尖端系统半导体Fab在内的150多家材料、零部件、设备企业，以及无晶圆厂设计公司和研究机构。业内还有分析认为，随着物价上涨和最尖端设备的导入，最终投资额可能逼近400万亿韩元。

一位业内人士指出：“一直以来并不善于利用银行资金的三星电子，如今也记录下约3.6万亿韩元贷款余额等，筹措投资资金的方式正在变得更加灵活”，“从其大规模设施投资中，可以看出其不愿在半导体超级景气周期中丧失领先地位的强烈意志。”KB证券（KB증권）研究本部长Kim Dongwon（김동원）预计，今年三星电子的营业利润将达到170万亿韩元，有望超越台积电（预估为124万亿韩元），跻身全球营业利润前十强。