龙仁智谷产业园区放宽建筑管制…半导体企业入驻更容易

龙仁市批准并公告产业园区规划变更
高度由3层调至4层、11米增至22米…可建设洁净室

京畿道龙仁市器兴区之谷一般产业园区内的建筑高度管制得到放宽，高端半导体行业入驻将更加便利。

龙仁市于8日表示，已批准并公布关于上调器兴区之谷洞720一带之谷产业园建筑物最高高度的园区规划变更。

此次产业园规划变更是由于文化财保护区毗邻地区行为许可标准放宽而进行的。园区开发之初，之谷产业园部分区域因与京畿道纪念物“阴厓 李者墓域”相邻，被纳入文化财保护区，建筑物最高高度被限制在11米。但自2021年起，京畿道文化财现状变更许可标准发生变化，行为许可标准有所放宽，从而可以调整建筑物的最高高度。

通过此次放宽管制，在之谷产业园共7万1427平方米范围中，尚未出售的▲产业设施用地5465平方米 ▲支援设施用地1715.9平方米，其最高楼层限制将由3层放宽至4层，高度则由11米放宽至22米。

市政府尤其期待，随着园区高度限制的放宽，引进高端半导体相关企业的工作也将提速。市政府解释称，此前虽有众多希望入驻之谷产业园的半导体制造企业咨询，但由于高度管制，难以安装制造设施核心——“洁净室”，因此接连出现放弃入驻的案例。一般认为，洁净室至少需要确保13至14米的建筑高度。

目前之谷产业园内，全球半导体设备企业“Lam Research”正在约3万平方米的用地上运营一座总建筑面积2万3000余平方米规模的研究与开发中心。半导体咨询专业公司“Search & Delve”也已入驻之谷产业园。

龙仁市市长 Lee Sangil 表示，将细致关注，避免希望入驻本市的企业遭遇不便，并将为扩大全球半导体生态系统而更加努力。