英特尔点燃半导体制程小数点之争：“2027年量产1.4纳米”

英特尔举办“IFS Direct Connect”活动
公布1纳米级代工工艺路线图
同时公开各代工领域接单战略

美国半导体企业英特尔宣布，将在年内于代工（半导体委托生产）业务中导入线宽为1.8纳米（㎚，1㎚=10亿分之一米）级别的18A工艺。到2027年将导入1.4㎚工艺。在台湾台积电与三星电子已预告将在2027年导入1.4㎚工艺的情况下，英特尔率先加入小数点线宽竞争。英特尔同时公开了不仅承接芯片生产，还单独承接封装订单的“拆分代工接单”战略。通过这一举措，英特尔设定了到2030年跃升为代工行业第二名的雄心目标。

英特尔于当地时间21日在美国加利福尼亚州圣何塞麦克埃内里会展中心举行“IFS（Intel Foundry Services，英特尔代工服务）Direct Connect”活动，公布了先进工艺路线图规划。IFS Direct Connect是首次举办的活动，也是英特尔在2021年宣布重返代工业务后，与合作伙伴共同举行的首场代工活动。

出席活动的有包括英特尔首席执行官（CEO）Pat Gelsinger在内的英特尔主要高管，以及微软（Microsoft）CEO Satya Nadella、OpenAI CEO Sam Altman等人。美国商务部长Gina Raimondo等政府官员，以及Arm CEO Rene Haas、联发科总裁Eric Fisher、联电（UMC）总裁Jason Wang等业界人士也到场参会。

英特尔当天预告将在年内实现18A工艺量产，并表示已包括微软在内锁定了四家客户。据悉，微软已将其人工智能（AI）芯片“Maia”的生产委托给英特尔。Gelsinger CEO表示：“全球能够做到这一点的企业屈指可数”，“英特尔的18A芯片将在处理速度上超越台积电。”

英特尔的18A量产计划较其原定于2025年投产的时间表有所提前。若一切按英特尔计划推进，将有望超越原本打算在明年导入2㎚工艺的台积电和三星电子。

英特尔还将从2027年起导入线宽为1.4㎚级别的14A工艺。在台积电和三星电子同年已预告将量产1.4㎚工艺的背景下，英特尔选择了全面对决。为在激烈的先进工艺竞争中占据优势，英特尔已率先在业内导入了荷兰阿斯麦（ASML）的下一代极紫外光（EUV）曝光设备——“高数值孔径（High NA）”系统。

英特尔在此基础上提出了到2030年重塑为代工行业第二名的目标。在台积电与三星电子占据代工市场主要份额之际，后来者英特尔希望通过快速的工艺转换，在6年内取代位居第二的三星电子。

英特尔当天还公开了将代工业务按领域拆分接单的“系统代工（Systems Foundry）”战略。不同于以往将芯片生产、封装与测试一并进行的传统代工模式，英特尔计划将其拆分，以领域为单位响应客户需求。比如，可以由台积电生产芯片，再由英特尔进行封装完成最终产品。

这被视为应对激增的AI半导体需求的一种方案。近期业界传出，由于包括台积电在内的代工企业封装产能低于需求，导致AI半导体从生产到出货耗时较长。

AI半导体需求高涨到足以引发供给瓶颈的程度。英伟达CEO Jensen Huang当天在发布2024财年第四季度（2023年11月至2024年1月）业绩时，将AI趋势形容为“拐点（tipping point）”。在供给达到极限的情况下，少量的需求增加就会大幅推高AI半导体价格。

半导体行业一位相关人士表示：“随着英特尔扩大代工业务，按领域拆分接单是顺理成章的步骤”，“如果英特尔的路线图能够按计划顺利实现，将有助于提高其在代工市场的占有率。”

如果英特尔承担部分封装需求，市场内产品供应速度有望加快。指望借AI业务增长的三星电子，将面临竞争进一步加剧的局面。不过，英特尔在2021年重返代工业务之际，相较台积电与三星电子更晚导入EUV技术，这一点也被视为一大风险。

半导体行业一位相关人士指出：“英特尔此前并未使用EUV设备，如今较晚导入，过程中可能出现试错”，“EUV导入是一项难度极高的工作，其成败将左右业务扩张的可能性。”

英特尔则展现出十足信心。Gelsinger CEO当天表示：“AI正在改变世界”，“这将为创新型芯片设计公司和我们的代工业务带来前所未有的机遇。”