“开启NAND新时代”SK海力士将于2025年量产321层NAND（综合）

SK海力士在美展出321层NAND样品
与238层NAND相比生产率提升59%
三星发布最高性能数据中心SSD

SK海力士宣布，将于2025年上半年量产321层四维（4D）NAND闪存。在200层堆叠竞争激烈的NAND行业中，预告突破300层极限，证明了其技术实力。三星电子则表示，将在年内量产基于最新第8代V-NAND的行业最高性能数据中心用固态硬盘（SSD）。

SK海力士于8日（当地时间）参加在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“闪存峰会”（Flash Memory Summit，FMS）2023大会，发布了“321层1太比特（Tb）三层单元（TLC）4D NAND”的开发进展，并展出了开发阶段的样品。这是首次正式对外公布300层以上NAND的开发消息并展示样品。

FMS是每年在圣克拉拉举行的NAND行业最大规模会议。不仅是NAND制造商，相关企业和团体也每年参会，讨论最新技术和行业动向。SK海力士选择在FMS上展示其NAND技术实力，背景正在于此。

SK海力士去年8月在FMS上首次宣布，已开发出238层512吉比特（Gb）TLC 4D NAND。时隔一年，又在同一活动上展示了比238层NAND生产效率提升59%的321层NAND样品，炫耀技术实力，并分享了将在2025年上半年量产该产品的详细计划。

SK海力士负责NAND开发的副社长 Choi Jeongdal 表示：“我们将通过开发4D 321层NAND，进一步巩固在NAND技术方面的领导地位”，并称“将主动向市场推出符合人工智能（AI）时代需求的高性能、大容量NAND，引领创新”。

NAND通过将存储数据的单元（cell）层层堆叠形成层数（层），以此增加容量，因此堆叠水平被视为技术竞争力。堆叠层数越多，一片晶圆上可生产的总容量就越大，对生产率的提升也越明显，这正是NAND企业之间堆叠竞争激烈的原因。

拥有5至6家主要厂商的NAND市场结构，也在助推这场竞争。目前200多层的竞争正如火如荼。继美国美光去年开始量产232层NAND之后，三星电子于去年11月开始量产第8代V-NAND（推测为236层）。SK海力士则自今年5月起量产238层NAND。日本铠侠与美国西部数据则表示，将在今年量产218层NAND。

三星电子在今年FMS上展示了搭载第8代V-NAND的大容量辅助存储装置——固态硬盘（SSD）新品。这款行业最高性能的PCIe（支持高速数据输入输出的下一代接口标准）5.0数据中心用SSD“PM9D3a”，其随机写入性能是上一代产品的2倍，能效提升了60%。

三星电子表示，将以年内启动量产为开端，今后陆续推出多个产品系列，并公布了今后将致力于解决服务器存储市场所面临问题的计划。三星电子存储事业部副社长 Song Yongho 表示：“我们将客户体验提升作为首要价值，全方位展开合作，提供最优的存储解决方案。”