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삼성전자, 50나노 2기가 DDR3 D램 최초 양산

최종수정 2008.09.29 17:49 기사입력 2008.09.29 11:00

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삼성전자(대표 이윤우)가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Giga bit) DDR3 D램 개발에 성공했다. 삼성전자는 이 제품을 10월부터 양산할 예정이다.

이에 따라 DDR2 제품이 주를 이루고 있던 고용량 D램 제품 시장도 DDR3제품이 점차 대체해 나갈 전망이다.

50나노 2기가비트 DDR3는 지난해 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리)에 비해 약 1.6배 빠른 1,333Mbps(1.333Gbps)를 구현한다.

단품 칩의 크기도 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다.

기존 2기가비트 DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 고용량 모듈 제품을 만들기 위해선 패키지 적층 기술(DDP, Double Die Package)을 적용, 2Gb 칩 2개를 하나로 만들어 탑재해야 했다. 하지만 2기가비트 DDR3는 DDR2 D램 패키지에 비해 크게 축소돼 적층기술 없이 고용량 모듈 제작이 가능하다.

2기가바이트 DDR3를 활용하면 전력 측면에 있어서도 큰 개선이 가능하다. 8기가바이트 D램 모듈의 경우 기존 1기가비트 DDR3 D램 72개로 구성하던 것을 2기가비트 36개로 대체할 수 있기 때문에 40% 이상 전력을 절감할 수 있다. 삼성전자는 이번에 개발한 2기가비트 D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정이다.

삼성전자 측은 "50나노급 2기가비트 DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지, 향후 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보하게 됐다"고 강조했다.

한편, 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 ▲2009년 29% ▲2011년 75% 규모로 성장할 전망이다. DDR3 D램 중 2기가비트 비중도 1기가비트 기준으로 각각 3%(2009년), 33%(2011년)를 차지할 것으로 예측됐다.


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