bar_progress

아시아경제 최신 기획이슈

하이닉스, 나노기술 내세운 반도체 양산 앞당긴다

최종수정 2008.02.10 18:36 기사입력 2008.02.10 10:16

댓글쓰기

하이닉스반도체는 나노기술을 업그레이드한 메모리반도체 양산시기를 앞당기기로 했다.

하이닉스는 10일 이 같은 방침을 밝히면서 D램의 경우 54나노 1Gb DDR2 제품을 이르면 2·4분기에 개발해 3·4분기부터 양산하기로 했다고 밝혔다.

44나노 1Gb DDR3 제품도 연내 개발에 들어가 내년 상반기 완료할 계획이다.

하이닉스는 또한 D램 기술경쟁력 강화를 위해 신규 기술이 전개될 때마다 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수(Net Die)를 45% 이상 늘리고, 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킬 예정이다.

낸드 플래시의 경우에는 48나노에서 20나노까지의 기술 개발을 연속선상에서 동시에 진행해 연구개발의 효율성을 증대하고 적기에 제품을 개발하기로 했다.

이에 따라 업계 최초로 40나노급 공정인 48나노 제품을 1.4분기에 개발해 2.4분기부터 양산하고, 41나노 제품도 연말에 개발할 예정이다.

차세대 저장장치로 부각되고 있는 SSD(Solid State Disk)도 하반기부터 128GB 제품 등을 본격 출시함으로써 고객 요구에 적극 대응할 계획이다.

하이닉스는 특히 DDR3 서버 시장 선점, 그래픽스 D램 제품의 주요 고객 인증 획득, 모바일 D램의 고객 확대 등 고부가가치 제품 비중도 50% 이상으로 늘려 수익성을 제고하기로 했다.

이와 함께 하이닉스는 2010년부터 차세대 반도체인 P램, STT램, Re램 등을 적극 개발해 지속성장을 위한 미래기술도 확보한다는 로드맵을 가지고 있다.

하이닉스 관계자는 "지난해 매출액 대비 6%이던 연구개발 투자를 금년에는 8% 수준, 2009년에는 10%까지로 늘려 미래기술과 경쟁력 강화에 힘쓰겠다"고 말했다.


간격처리를 위한 class