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삼성전자, 세계 최초 60나노급 2기가 D램 개발

최종수정 2007.09.12 12:38 기사입력 2007.09.12 12:34

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삼성전자가 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR2 D램 개발에 성공하고 인텔 인증을 획득했다.

삼성전자는 12일 이 같은 내용을 밝히고, 올해 말부터 제품 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다. 

이로써 삼성전자는 올해 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 양산한 데 이어 2기가비트 제품까지 확보함에 따라 이미 양산 중인 512메가비트 D램을 포함, 올해 말에는 DDR2 D램 전 제품에 대해 60나노급 제품으로 양산 전환 완료하게 된다.

2기가비트(Gb) DDR2 D램은 8기가바이트(GB) 서버용 모듈 (FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈 (UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하게 돼 메모리 용량 확대를 가속화시킬 것으로 전망된다.

또한, 기존 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 수 있기 때문에, 1기가 D램으로 구성된 모듈에 비해 30% 이상 전력을 절감할 수 있고, 시스템 작동시 발열량을 줄여준다.

한편, 반도체 시장 조사기관인 가트너 데이터퀘스트 (Gartner Dataquest)에 따르면 세계 2기가 D램 시장은 올해부터 시장이 형성되어 오는 2011년에는 140억 달러 규모로 성장, 전체 D램 시장에서 47%를 차지할 전망이다. 

윤종성 기자 jsyoon@newsva.co.kr
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