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세계서 가장 빠른 나노반도체 개발

최종수정 2007.08.23 11:08 기사입력 2007.08.23 11:08

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포스텍 정윤하 교수팀

   
 
세계에서 가장 빠른 동작속도를 가진 30나노급 갈륨비소계 나노트랜지스터가 포항공대(포스텍) 연구팀에 의해 개발됐다.

포스텍은 전자전기공학과 정윤하(57ㆍ포항나노기술집적센터장ㆍ사진)교수 연구팀이 기존 실리콘 소자에 비해 10배 이상 빠른 35나노미터(nm) 갈륨비소계 나노트랜지스터 (metamorphic HEMTㆍmHEMT)개발에 성공했다고 22일 밝혔다.

정 교수팀이 개발한 나노소자는 초고주파 소자 및 회로의 개발에 획기적 역할을 해 차세대 초고속 반도체 소자 개발도 활기를 띨 전망이다.

이번에 개발된 초고속 나노트랜지스터는 저항을 줄일 수 있는 지그재그 형태의 게이트 구조를 가져 나노트랜지스터의 동작속도를 결정하는 최대 발진주파수(fmax)가 520 기가헤르츠(GHz) 이상이 된다.

정 교수는 이같은 속도는 인듐인(InP) 기반의 트랜지스터와 유사하고 갈륨비소를 기반으로 한 트랜지스터 가운데 세계에서 가장 빠른속도이며, 전류이득 차단주파수와 최대 발진주파수가 모두 우수해 기존 기술 보다 한 단계 더 진보한 나노전자소자 기술로 평가된다고 설명했다.

또한 기존에 나와 있는 50나노급 트랜지스터 보다 성능이 우수하고 가격도 기존 제품의 절반 이하로 저렴한데다 제조 공정이 쉬워 대량 생산에 유리한 것이 장점이다.

이 기술은 미국전자전기공학회(IEEE)가 발간하는 '일렉트론 디바이스 레터(EDL)' 8월호에 게재됐으며 국내외 특허 출원이 신청된 상태다. 

이경호 기자 gungho@newsva.co.kr
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