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삼성전자, 50나노급 1기가 DDR2 D램 인텔 인증

최종수정 2007.07.19 11:07 기사입력 2007.07.19 11:05

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내년 상반기 50나노급 DDR2/DDR3 제품 본격 양산

   
 
삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램이 인텔 인증을 획득했다.

19일 삼성전자는 지난 해 10월 세계 최초로 개발한 50나노급 1기가 DDR2 D램이 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.

50나노급 D램이 인증을 완료한 것은 이번이 처음이다.

삼성전자는 “DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리) 제품에 대해 양산 가능한 수준의 제품 특성을 확보했음을 공인 받았다는데 큰 의미가 있다.”고 설명했다. 

특히 업계가 아직 70나노~ 80나노급 제품 양산에 머무르고 있는 가운데 행해진 이번  50나노급 1기가 DDR2 D램의 인텔 인증은 삼성의 차세대 D램 기술이 절대 우위에 있음을 다시 한 번 입증한 것이라고 삼성전자 측은 강조했다.

삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산 공정인 80나노 대비 2배, 60나노급 1기가 DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력이 강화될 것으로 기대된다.

삼성전자의 50나노급 D램 기술은 2008년 상반기 양산 예정이며, DDR2뿐만 아니라, DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용될 계획이다.

한편, 삼성전자는 "올해 하반기 D램 시장은 윈도우 비스타가 일반 사용자용 PC 뿐만 아니라 기업용 PC까지 본격 채용되면서 메인 메모리의 용량의 증가와 고성능화가 가속화 될 것"으로 전망했다.

윤종성 기자 jsyoon@newsva.co.kr
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