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삼성전자, 업계최초 '50나노급 D램' 인텔 인증

최종수정 2007.07.19 11:07 기사입력 2007.07.19 11:04

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삼성전자가 지난 해 10월 세계 최초로 개발한 바 있는 50나노급 1기가 DDR2 D램에 대한 인텔 인증을 획득했다고 19일 밝혔다. 

삼성전자는 "50나노급 D램으로는 업계 최초로 인증을 완료한 것으로, 특히 DDR2 제품 중 최고속인800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리) 제품에 대해 양산 가능한 수준의 제품 특성을 확보했음을 공인 받았다는데 큰 의미가 있다"고 설명했다.

삼성전자는 올해 3월부터 업계 최초로 60나노급 1기가 DDR2 D램을 양산 개시해, 70나노~80나노급 제품을 양산하고 있는 업계 수준에 비해 앞서 나가고 있다.

이번에 공식적으로 검증된 삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산 공정인 80나노 대비 2배, 60나노급 1기가 DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력이 강화될 것으로 기대된다.

한편, 올해 하반기 D램 시장은 윈도우 비스타가 일반 사용자용 PC 뿐만 아니라 기업용 PC까지 본격 채용되면서 메인 메모리의 용량의 증가와 고성능화가 가속화 될 것으로 전망된다.

또, 주력 제품이 512메가(Mb)에서 1기가(Gb)로 급격히 전환됨은 물론 차세대 제품인 DDR3 D램 채용 시스템이 시장에 선보이면서 D램 시장에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다.

이번에 인텔 인증을 완료한 삼성전자의 50나노급 D램 기술은 2008년 상반기 양산 예정이며 DDR2뿐만 아니라, DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용될 계획이다.

삼성전자는 관계자는 "2007년 60나노급, 2008년 50나노급 1기가 D램을 양산 선행해 타사 대비 월등한 원가 경쟁력을 확고히 하고, 1기가 D램 시장에서 절대 경쟁 우위를 지속해 나갈 것"이라고 말했다.

구경민 기자 kkm@newsva.co.kr
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