국내연구팀, 투명 메모리 소자 개발
재료적 유연성과 광학적 장점을 지닌 그래핀 산화물을 이용한 메모리 소자를 구현하려는 연구가 계속되고 있는데 실제 소자 응용을 위해 필요한 신뢰성과 다중 정보저장을 위한 멀티-레벨 특성 구현에 대한 점은 부족한 상황이었다. 다중 정보저장은 하나의 메모리 소자 당 1 비트 이상의 정보를 저장하는 기술을 말한다. 멀티 레벨 특성 구현은 하나의 ReRAM 소자가 2가지 이상의 저항 값을 갖는 특성을 일컫는다.
투명 노트북 같은 대용량의 정보저장이 필요한 미래형 전자소자의 핵심기술로 활용될 것으로 기대된다. 실제 개발된 소자는 상·하부 전극의 종류와 두께 제어 등을 통해 최적의 소자 특성을 확보할 수 있었다. 10만회 이상의 시험구동을 통과하고 85℃고온 환경에서도 10만초 이상 정보저장 능력을 보여 메모리 소자로서의 가능성을 확인했다.
이번 연구는 고려대 전기전자공학부 김태근 교수가 주도하고 김희동 박사(제 1저자) 등이 수행했다. 미래창조과학부와 한국연구재단이 추진하는 중견연구자지원사업(도약) 등의 지원으로 이뤄졌다. 연구결과는 네이처 자매지 사이언티픽 리포트(Scientific Reports)지 4월 9일자 온라인판(논문명: Transparent Multi-level Resistive Switching Phenomena Observed in ITO/RGO/ITO Memory Cells by the Sol-Gel Dip-Coating Method)에 실렸다.
정종오 기자 ikokid@asiae.co.kr
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