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국내연구진, 차세대 유기메모리 소자 개발

최종수정 2009.06.24 17:36 기사입력 2009.06.24 17:36

국내연구진에 의해 트랜지스터와 유기메모리 소자를 결합하는 '유기 전자소자' 제조 기술이 개발됐다.

광주과학기술원 신소재공학과 이탁희 교수팀은 트랜지스터와 유기메모리 소자를 결합한 '1T-1R(1 Transistor + 1 Resistor)' 형태의 유기 전자소자 제조 기술 개발에 세계 최초로 성공했다고 24일 밝혔다.

이번 연구 성과는 세계적인 재료공학분야 국제학술지 '어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials)' 26일자에 게재되며 이 저널의 내부표지논문으로 선정됐다.

유기 소재를 이용한 메모리 소자 연구는 가격이 저렴하고 구조가 간단하며 그 특성이 우수하다는 장점 때문에 차세대 반도체 메모리 소자기술로 주목받고 있다.

하지만 기존의 비휘발성 유기메모리 소자 연구는 단위소자 또는 크로스 형(cross-point) 소자가 대부분이었다. 최근 고집적 메모리 소자연구를 위해 트랜지스터 또는 다이오드를 유기 메모리소자와 결합하는 연구가 진행돼 왔다.

이 교수는 "이번 연구결과는 유기 소재를 이용해 메모리 소자를 제작하거나 고집적 유기 메모리 소자를 구현할 때 필요한 1T-1R 소자를 제작하고 평가함으로써, 차세대 고집적 유기 반도체 소자기술을 개발할 수 있는 기초를 다졌다는 데 의미가 있다"고 말했다.

김철현 기자 kch@asiae.co.kr
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