삼성전자-대만 TSMC, 파운드리 '3나노 경쟁' 본격화 전망

삼성전자 화성캠퍼스 전경 [이미지출처=연합뉴스]

[아시아경제 이창환 기자] 삼성전자와 대만의 TSMC의 반도체 위탁생산(파운드리) 미세공정 경쟁이 본격화될 것으로 전망된다.

24일 외신 등에 따르면 TSMC는 오는 4월 29일 북미 기술 심포지엄에서 자사 3나노 공정기술을 구체적으로 공개할 예정이다.

앞서 TSMC는 올해까지 5나노, 오는 2022년까지 3나노 반도체를 양산하겠다는 목표를 제시한 바 있으나 구체적인 기술 로드맵을 공개하지는 않았다.

반면 삼성전자는 2018년 처음 'GAA(Gate-All-Around)' 기술을 포함한 3나노 공정 로드맵을 공개하고 지난해 고객사에 설계툴을 제공하고 이달 '최초 개발'을 공식화 한 바 있다.

3나노는 반도체 회로 선폭을 의미한다. 선폭이 좁을수록 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상된다.

파운드리 업체 가운데 7나노 이하 미세공정 기술을 보유한 기업은 삼성전자와 TSMC 단 2곳뿐이다. 7나노부터 3나노까지는 삼성전자가 먼저 개발에 성공했다.

강상구 KDB미래전략연구소 연구원은 지난 20일 보고서를 통해 "3나노 공정을 먼저 양산할 경우 팹리스(반도체 설계) 업체로부터 최신 반도체 물량 수주 가능성이 커진다"고 설명했다.

이창환 기자 goldfish@asiae.co.kr